薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1254951A
申请号 ：
CN99120390.9
公开（公告）日 ：
2000-05-31
申请日 ：
1992-09-25
授权号 ：
CN1130766C
授权日 ：
2003-12-10
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦间濑晃鱼地秀贵
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN99120390.9
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2010-12-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101020690156
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL991203909
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20031210
终止日期 : 20091026
号牌文件序号 : 101020690156
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL991203909
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20031210
终止日期 : 20091026
2003-12-10 ：
授权
2000-05-31 ：
公开
2000-05-03 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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