薄膜晶体管制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管制造方法。该薄膜晶体管制造方法包括以下步骤：提供一基板，在该基板的一表面依次形成一非晶硅薄膜、一绝缘层及一光阻层；进行微影蚀刻，在该绝缘层形成一图案；对该非晶硅薄膜进行准分子雷射退火，使得未被绝缘层覆盖的该非晶硅薄膜晶化成多晶硅薄膜；去除被绝缘层覆盖的非晶硅薄膜；在该多晶硅薄膜上制作薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979778A
申请号 ：
CN200510101875.1
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜硕廷
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510101875.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/268 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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