薄膜晶体管及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管，包括一栅极、一绝缘层、一沟道层、一蚀刻中止层、一欧姆接触层、一源极及一漏极。栅极设置于一基板上。绝缘层设置于基板之上，并覆盖栅极。沟道层设置于部分的绝缘层上，并对应于栅极，且沟道层的宽度小于或等于栅极的宽度。蚀刻中止层设置于部分的沟道层上，并对应于栅极，且蚀刻中止层的宽度小于沟道层的宽度。欧姆接触层设置于部分的绝缘层上，并覆盖蚀刻中止层的二端及沟道层的二端。源极及漏极设置于欧姆接触层上，用以对应地透过欧姆接触层与沟道层的此二端电连接。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828850A

申请号：

CN200610006016.9

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

梁中瑜张鼎张刘柏村王敏全陈信立甘丰源

申请人：

友达光电股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610006016.9

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/786