薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要

一种薄膜晶体管的制造方法,其先提供基板。接着,于基板上形成多晶硅岛状物。再来,形成栅绝缘层以覆盖多晶硅岛状物。继之,于栅绝缘层上形成栅极。之后,于栅极两侧下方的多晶硅岛状物中形成源极/漏极,而源极/漏极之间即是通道区,其中形成多晶硅岛状物与栅极至少其中之一种方法是利用下述图案的形成方法,此图案的形成方法是用来形成非连续膜层,以降低膜层应力。之后,对非连续膜层进行图案化工艺以形成图案。本发明之薄膜晶体管的制造方法由于利用了上述图案的形成方法,而可消除因应力不均所造成的基板翘曲的现象,进而能提高薄膜晶体管的制造合格率。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1964005A
申请号 :
CN200510117690.X
公开(公告)日 :
2007-05-16
申请日 :
2005-11-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张锡明
申请人 :
中华映管股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台北市中山北路三段二十二号
代理机构 :
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 :
薛平
优先权 :
CN200510117690.X
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336  H01L29/786  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2020-10-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20191108
2009-06-10 :
授权
2007-07-11 :
实质审查的生效
2007-05-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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