薄膜晶体管结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管结构及其制造方法。此薄膜晶体管结构包括长条状硅岛、栅极、第一与第二离子掺杂区。长条状硅岛为具有预定的短边与长边的薄膜区域，或还具有大致与前述短边方向平行的多个横向晶界。栅极设置在前述长条状硅岛上且与前述横向晶界大致平行。第一与第二离子掺杂区，分别沿着前述长条状硅岛的长边方向，设置在前述长条状硅岛中的两侧，与前述栅极大致垂直，作为前述薄膜晶体管的源极与漏极。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101038935A

申请号：

CN200610057177.0

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2006-03-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈麒麟陈昱丞吴兴华刘柏村

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

胡光星

优先权：

CN200610057177.0

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L29/423 H01L21/336 H01L21/28