薄膜晶体管及其制造方法
专利权的视为放弃
摘要
提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造所述薄膜晶体管的方法。所述TFT包括：透明衬底；覆盖所述透明衬底的预定区域的绝缘层；在所述绝缘层上形成的、包括源极区、漏极区和沟道区的单晶硅层；以及在所述单晶硅层的沟道区上依次形成的栅极绝缘膜和栅电极。所述TFT能够通过快速热辐射高速地稳定运行。并且能够使TFT的尺寸显著降低。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770476A
申请号 ：
CN200510114007.7
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野口隆鲜于文旭赵世泳殷华湘
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510114007.7
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336
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法律状态
2010-01-06 ：
专利权的视为放弃
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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