薄膜晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法，其中，简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括：在基底上形成至少一个缓冲层；在缓冲层上形成第一半导体层，通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第二半导体层；将第二半导体层图案化，形成源区和漏区；在源区和漏区上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855393A
申请号 ：
CN200610058671.9
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔大撤崔炳德任忠烈
申请人 ：
三星SDI株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩明星
优先权 ：
CN200610058671.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/786
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2021-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20200308
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20200308
2012-12-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101480549149
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100586719
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道龙仁市
登记生效日 : 20121105
号牌文件序号 : 101480549149
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100586719
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道龙仁市
登记生效日 : 20121105
2009-07-08 ：
授权
2009-03-04 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
登记生效日 : 20090206
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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