薄膜晶体管及其制造方法
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摘要
一种薄膜晶体管，具有两个上下重叠的多晶硅层作为沟道区，其制造方法如下。首先，形成一第一多晶硅层于一基板上方。再依序形成一第一绝缘层、一栅极金属及一第二绝缘层于该第一多晶硅层上方。接着，形成一第二多晶硅层于该第二绝缘层上方。然后，移除一部分该第一绝缘层与该第二绝缘层以形成两接触孔。以及，形成一金属层于每个该接触孔中以电性连接该第一多晶硅层及该第二多晶硅层。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828852A
申请号 ：
CN200610068203.X
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚智文
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610068203.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-01-07 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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