制造薄膜晶体管的方法

专利权的终止

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法，在绝缘透明衬底上形成一栅电极，再叠置多层不同折射率的栅绝缘膜，然后依次沉积半导体层、蚀刻阻止层和光刻胶膜；再经反向曝光、显影将光刻胶膜制成图形，并用其作为掩模选择蚀刻该蚀刻阻止层；再除去光刻胶膜，再依次制成n型掺杂半导体层和金属层，最后形成源、漏电极；用本法制造的薄膜晶体管用作LCD的开关元件，可改善器件特性，提高并简化工艺，提高产品生产率。

基本信息

专利标题：

制造薄膜晶体管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1091551A

申请号：

CN93119958.1

公开（公告）日：

1994-08-31

申请日：

1993-12-29

授权号：

CN1033252C

授权日：

1996-11-06

发明人：

吴义烈

申请人：

株式会社金星社

申请人地址：

韩国汉城

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

马莹

优先权：

CN93119958.1

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/336 H01L21/28 G02F1/13

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2014-02-05 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101567131755
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL931199581
申请日 : 19931229
授权公告日 : 19961106
期满终止日期 : 20131229

2008-10-08 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

变更前 : LG菲利普有限公司
变更后 : LG显示器有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国汉城
变更后 : 韩国首尔市
变更事项 : 专利权人

2000-01-05 ：

著录项目变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 株式会社金星社
变更后 : LG菲利普有限公司

1996-11-06 ：

授权

1995-01-18 ：

实质审查请求的生效

1994-08-31 ：

公开

1994-08-24 ：

实质审查请求的生效

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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