薄膜晶体管的制造装置和制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管的制造装置和制造方法。该制造方法包括以下步骤：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上形成一栅极；依序形成一栅极绝缘层、一非晶硅层、一掺杂非晶硅层和一源/漏极金属层；采用双狭缝光罩曝光；形成源/漏极金属图案；形成掺杂非晶硅图案和非晶硅图案；形成源/漏极和沟槽；其中形成源/漏极和沟槽的步骤中包括曝光过程，该曝光过程采用双狭缝光罩，该双狭缝光罩的狭缝包括多个透光部分，且至少一透光部分为弯曲透光部分，该弯曲透光部分较狭缝的其它透光部分狭窄。采用该制造方法和制造装置可以得到性能较佳的薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制造装置和制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949080A
申请号 ：
CN200510100395.3
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖建廷
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510100395.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027 G02F1/136
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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