薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种TFT、一种TFT阵列面板和制造TFT阵列面板的方法。制造TFT阵列面板的方法包括：在基板上形成彼此分开的第一电极和第二电极；在基板上形成包括非晶硅和多晶硅的硅层；通过构图硅层形成半导体；在半导体上形成栅极绝缘层；形成第三电极来与栅极绝缘层上的半导体重叠；在第三电极上形成钝化层；以及在钝化层上形成像素电极。因为TFT在TFT的沟道区包括多晶硅，所以TFT阵列面板具有高的迁移率。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1841779A

申请号：

CN200610059123.8

公开（公告）日：

2006-10-04

申请日：

2006-03-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

崔埈厚高俊哲崔凡洛

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610059123.8

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L27/12 H01L21/84