薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828914A
申请号 ：
CN200610057753.1
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金彰洙金湘甲秦洪基吴旼锡崔熙焕金时烈
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李伟
优先权 ：
CN200610057753.1
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
相关图片
法律状态
2013-01-23 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101501396669
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100577531
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121220
号牌文件序号 : 101501396669
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100577531
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121220
2010-07-14 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正误 : 缺少优先权第二条
卷 : 22
号 : 36
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
正 : 2005.04.27 KR 10-2005-0034964
卷 : 22
号 : 36
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
正 : 2005.04.27 KR 10-2005-0034964
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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