薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供了一种以有成本效益的方式来制造TFT阵列面板的方法。该方法包括：形成薄膜晶体管，各薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成电连接到漏电极的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825571A
申请号 ：
CN200610001076.1
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵能镐金成昱朴龙吉郑培铉蔡东烨崔渊琇
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭鸿禧
优先权 ：
CN200610001076.1
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12 G02F1/1368
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2013-01-23 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101505996914
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100010761
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道龙仁市
登记生效日 : 20121225
号牌文件序号 : 101505996914
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100010761
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道龙仁市
登记生效日 : 20121225
2009-08-05 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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