薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括：在基板上形成包括栅电极、漏电极、源电极及半导体的薄膜晶体管；在源电极及漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成透明导电层；使用光刻胶作为蚀刻掩模，蚀刻透明导电层，以露出第一钝化层的一部分并形成与漏电极连接的像素电极；将第一钝化层和光刻胶抛光；以及去除光刻胶。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808709A
申请号 ：
CN200510125777.1
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴庆珉郑震九柳春基
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李伟
优先权 ：
CN200510125777.1
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2013-01-23 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101502594672
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005101257771
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121221
号牌文件序号 : 101502594672
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005101257771
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121221
2009-08-05 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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