薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括：在基底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏极；在数据线和漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂；将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层，从而至少部分地暴露漏极的一部分；去除光阻剂的第二部分；沉积导电膜；去除光阻剂，从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822352A
申请号 ：
CN200610002183.6
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金彰洙金洙真韩京泰崔熙焕金周汉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩明星
优先权 ：
CN200610002183.6
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2008-09-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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