薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种薄膜晶体管阵列面板包括衬底、位于衬底上的栅极线、位于衬底上并与栅极线分开的电容性电极。该薄膜晶体管阵列面板包括：数据线，与栅极线相交；薄膜晶体管，与栅极线和数据线连接并包括漏电极；耦合电极，与漏电极连接、与电容性电极叠置并具有位于电容性电极上的通孔。该薄膜晶体管阵列面板包括：钝化层，位于栅极线、数据线和薄膜晶体管上，并具有穿透通孔并暴露电容性电极的接触孔；像素电极，包括通过接触孔与漏电极连接的第一子像素电极和与电容性电极连接的第二子像素电极。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1808719A

申请号：

CN200510125827.6

公开（公告）日：

2006-07-26

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

蔡钟哲朴哲佑申暻周

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

韩明星

优先权：

CN200510125827.6

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/84 G02F1/13