本发明是提供一种利用常压氢环境溶融法，抑制硅熔液内的氧及杂质产生，同时使轻元素杂质反应或结晶除去，可育成晶体生长速度快且晶体粒子微细且晶体缺陷少的晶体结构的高纯度多晶硅晶棒，可廉价地制造提升与太阳能电池用晶片的转换效率相关的寿命特性的多晶硅晶棒的制造方法。在常压或加压条件下，在100％氢环境中熔化硅原料而形成硅熔液，同时在该硅熔液中溶解氢，使溶解有该氢的硅熔液凝固后，在凝固温度附近保持高温，使硅粒子固相晶体生长以得到多晶硅晶棒。