多晶硅制造炉
专利权的终止
摘要

多晶硅制造炉,包括腔体;位于腔体内的坩埚,坩埚用于装入硅;位于腔体内且设置在坩埚四周的隔热材料;设置在隔热材料内的加热器;加热器对装入坩埚内的硅进行加热;其隔热材料分为一位于坩埚侧面及上部的第一隔热材料和位于坩埚下部的第二隔热材料;在第二隔热材料上设置有能够窥视坩埚内部的间隙;在第一和第二的隔热材料上设置有驱动第一和第二的隔热材料进行垂直方向运动的第一和第二移动装置。通过第一和第二移动装置的开启与关闭,来控制间隙关闭与开启,实施加热与冷却。本实用新型在使用坩埚制造具有单向凝固组织的硅锭时以低成本提供适合大规模生产的制造装置,同时提供能够安全制造的方法,其工业价值显然是很大的。

基本信息
专利标题 :
多晶硅制造炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820056086.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-03-11
授权号 :
CN201162067Y
授权日 :
2008-12-10
发明人 :
河野贵之贺贤汉
申请人 :
上海汉虹精密机械有限公司
申请人地址 :
200444上海市宝山区城市工业园区山连路188号
代理机构 :
上海天翔知识产权代理有限公司
代理人 :
吕伴
优先权 :
CN200820056086.X
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B28/06  C01B33/02  B22D27/04  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2018-03-30 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20080311
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20170311
2010-12-29 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057039166
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利号 : ZL200820056086X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海汉虹精密机械有限公司
变更后权利人 : 上海汉虹精密机械有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200444 上海市宝山区城市工业园区山连路188号
变更后权利人 : 200444 上海市宝山城市工业园区山连路188号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 上海申和热磁电子有限公司
登记生效日 : 20101123
2008-12-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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