多晶硅铸锭设备
授权
摘要
本实用新型实施方式提供一种多晶硅铸锭设备。所述多晶硅铸锭设备包括坩埚、光源、及光线检测装置。所述坩埚具有收容腔，所述坩埚在所述收容腔的内壁上附设有氮化硅涂层。所述光源及所述光线检测装置分别设置于收容腔的内侧和外侧，或者分别设置于外侧和内侧。所述光源朝所述氮化硅涂层发射初始光线，所述初始光线经过所述氮化硅涂层后形成检测光线，所述检测光线传导至所述光线检测装置。所述光线检测装置接收检测光线，并根据所述检测光线判断所述氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度。所述多晶硅铸锭设备及多晶硅铸锭方法检测氮化硅涂层的厚度是否满足预设厚度的精准度更高。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅铸锭设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922485452.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211734535U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
周华孔令珂陶能松黄福龙张学日吴纯
申请人 ：
江西中材新材料有限公司;中材江苏太阳能新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司
申请人地址 ：
江西省新余市高新开发区赛维大道1859号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN201922485452.4
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06 G01B11/06 G01B11/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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