多晶硅铸锭炉

专利权的终止

摘要

本实用新型公开的多晶硅铸锭炉，包括腔体；位于所述的腔体内的坩埚，所述的坩埚用于装入硅；位于所述腔体内且设置在所述坩埚四周的隔热材料；设置在所述隔热材料内的加热器；所述加热器对装入所述的坩埚内的硅进行加热；其特征在于，还包括：设置在所述的坩埚下部并位于所述的隔热材料内的冷却装置。所述的冷却装置上设置有一驱动所述的冷却装置运动的第二移动装置。本实用新型在使用坩埚制造具有单向凝固组织的硅锭时以低成本提供适合大规模生产的制造装置，同时提供能够安全制造的方法，其工业价值显然是很大的。

基本信息

专利标题：

多晶硅铸锭炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820056088.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-03-11

授权号：

CN201162068Y

授权日：

2008-12-10

发明人：

河野贵之贺贤汉

申请人：

上海汉虹精密机械有限公司

申请人地址：

200444上海市宝山区城市工业园区山连路188号

代理机构：

上海天翔知识产权代理有限公司

代理人：

吕伴

优先权：

CN200820056088.9

主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B29/06 C30B28/06 C01B33/02 B22D27/04

相关图片

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/02

元素

C30B29/06

硅

法律状态

2018-03-30 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20080311
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20170311

2011-01-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101058404564
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利号 : ZL2008200560889
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海汉虹精密机械有限公司
变更后权利人 : 上海汉虹精密机械有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200444 上海市宝山区城市工业园区山连路188号
变更后权利人 : 200444 上海市宝山城市工业园区山连路188号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 上海申和热磁电子有限公司
登记生效日 : 20101124

2008-12-10 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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