本实用新型公开的多晶硅制造装置，包括一腔体；位于所述的腔体内的坩埚，所述的坩埚用于装入硅；位于所述腔体内且设置在所述坩埚四周的隔热材料；设置在所述隔热材料内并位于所述的坩埚侧面的侧面加热器；其特征在于，在所述隔热材料内，且位于坩埚上方顶部的顶部加热器，所述侧面和顶部加热器对装入所述的坩埚内的硅进行加热；以及所述的侧面和顶部加热器与一控制电路连接，所述的控制电路控制所述的加热器的输出。本实用新型在使用坩埚制造具有单向凝固组织的硅锭时，通过控制电路能够对侧面和顶部加热器进行控制，保证坩埚底部的多晶硅开始凝固时，坩埚上部及顶部的多晶硅仍处于熔融状态，以有效实施单向凝固。