多晶硅还原炉内层结构和多晶硅还原炉
授权
摘要
本实用新型提供了一种多晶硅还原炉内层结构和多晶硅还原炉，涉及多晶硅装备技术领域，该多晶硅还原炉内层结构包括：光面层、中间层和节能层，光面层设于还原炉内壁的基体上；中间层设置于光面层和节能层之间用于连接光面层和节能层，中间层包括第一粗糙面结构薄膜，第一粗糙面结构薄膜为第一纯金属固体颗粒在光面层构成的粗糙表面沉积体；节能层设置于中间层的表面，用于反射多晶硅棒的热辐射。该内层结构不需要抛光或机械加工，降低了还原炉的制造成本，同时采用中间层和节能层复合结构降低了还原炉不锈钢基体对多晶硅的污染，提升了多晶硅的纯度。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅还原炉内层结构和多晶硅还原炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021209100.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN211771656U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
张宝顺宗冰王体虎
申请人 ：
亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张萌
优先权 ：
CN202021209100.2
主分类号 ：
C30B28/14
IPC分类号 ：
C30B28/14 C30B29/06 C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/12
由气态直接制备
C30B28/14
用反应气体的化学反应法
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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