多晶硅还原炉的底盘和多晶硅还原炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种多晶硅还原炉的底盘和多晶硅还原炉,所述多晶硅还原炉的底盘包括:盘体,所述盘体用于与多晶硅还原炉的炉体相连且适于与所述炉体限定出炉腔,所述盘体设有喷口和电极;其中所述盘体朝向所述炉腔内的表面涂覆有耐高温涂层,所述耐高温涂层具有用于避让所述喷口的第一避让口和用于避让所述电极的第二避让口。根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉的底盘,通过耐高温涂层将盘体与炉腔有效隔开,避免盘体对硅棒产生金属污染,利于提高硅棒的纯净度,提高了硅棒的生产质量,且使得污渍沉积在耐高温层上,以利于清理,提高了下一批次硅棒的纯净度,进一步提高了硅棒的生产质量。
基本信息
专利标题 :
多晶硅还原炉的底盘和多晶硅还原炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123450637.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
CN216737605U
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
韩锋田新史言回孟锦桑九龙张思楠卢文
申请人 :
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄德海
优先权 :
CN202123450637.5
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-06-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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