多晶硅还原炉
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摘要

本实用新型公开了一种多晶硅还原炉,多晶硅还原炉包括:底盘,底盘上设有进气管和出气管;高阻值硅芯,设在底盘上;还原炉筒体,适于罩设在底盘上,还原炉筒体内限定有空腔;气体加热器,气体加热器上形成有气体进口和气体出口;物料系统换热器,物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口;气体管道,气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通;其中,经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本实用新型的多晶硅还原炉,通过气体加热器对气体进行加热,通过热态气体将还原炉内的高阻值硅芯预热,整个系统属于密闭系统,同时气体纯度能够保证,操作简便,安全可靠。

基本信息
专利标题 :
多晶硅还原炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921396516.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-26
授权号 :
CN210825442U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
陈辉万烨孙强张晓伟张邦洁王浩张征
申请人 :
洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请人地址 :
河南省洛阳市洛龙科技工业园牡丹大道西1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
宋合成
优先权 :
CN201921396516.7
主分类号 :
C01B33/03
IPC分类号 :
C01B33/03  C01B33/035  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/03
使用卤化硅或卤化硅烷的分解,或其以氢作为惟一的还原剂的还原
法律状态
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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