多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉
授权
摘要
本申请提供一种多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉，多晶硅生产设备技术领域。多晶硅还原炉的硅芯结构，包括平行且间隔设置的第一硅芯和第二硅芯，第一硅芯和第二硅芯均包括轴向方向的第一端和第二端，第一硅芯和第二硅芯的第一端用于与多晶硅还原炉的底盘上的电极连接，第二端连接有至少两根横梁，横梁的两端分别与第一硅芯和第二硅芯连接，至少两根横梁沿第一硅芯的轴向方向依次分布，且相邻两根横梁在第一硅芯的轴向方向具有间隙。其能够改善硅芯上下端温度的不均匀性，有利于形成上下直径及致密度一致的硅棒。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123024414.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
CN216512891U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李宇辰马辉胡西军吉红平王琳施光明郭光伟李勇明童占忠祁永双韩玲王秀菊
申请人 ：
亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号
代理机构 ：
北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
孔鹏
优先权 ：
CN202123024414.2
主分类号 ：
C01B33/035
IPC分类号 ：
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下，或在存在热硅棒情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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