一种还原炉保温结构、多晶硅还原炉及工作方法
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摘要

本发明涉及保温结构技术领域,尤其涉及一种还原炉保温结构,从内至外依次包括:均流板、缓冲板和炉壁;均流板包括若干均匀分布的第一孔位,且内部围设成反应区;缓冲板包括若干均匀分布的第二孔位,且与均流板之间形成均流区;炉壁包括内壁和外壁,二者间形成环形腔体,环形腔体一侧底部设置有入口,另一侧顶部设置有出口,内壁与缓冲板之间形成缓冲区;其中,原料气体自缓冲区流入还原炉内,且自反应区流出还原炉。本发明中提供了一种能够对反应区内的温度进行有效保温的还原炉保温结构,目的在于确保反应区内温度场的平衡,从而有效保证最终多晶硅产品的质量。本发明中还请求保护一种多晶硅还原炉及工作方法,具有同样的技术效果。

基本信息
专利标题 :
一种还原炉保温结构、多晶硅还原炉及工作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113753899A
申请号 :
CN202111243549.X
公开(公告)日 :
2021-12-07
申请日 :
2021-10-25
授权号 :
CN113753899B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
丁建宁李绿洲胡宏伟董旭江瑶瑶曹晓婷程广贵
申请人 :
江苏大学;常州大学
申请人地址 :
江苏省镇江市学府路301号
代理机构 :
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
丁博寒
优先权 :
CN202111243549.X
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-05-03 :
授权
2021-12-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/035
申请日 : 20211025
2021-12-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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