一种多晶硅还原炉电极结构

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摘要

本实用新型公开了一种多晶硅还原炉电极结构，属于多晶硅生产技术领域，包括电极体，所述电极体安装在还原炉底盘内，所述电极体和还原炉底盘之间设有的电极绝缘套，所述电极体还套接有绝缘环，所述绝缘环设置在电极绝缘套上方，所述绝缘环的内径比电极体的外径大0.03‑0.6mm，可以解决还原炉在生产过程中，炉内硅粉随气流流动并沉积在电极、绝缘环及底盘表面，易造成电极与底盘之间形成电气短路，影响还原炉正常生产，以及增加隔热罩成本高，易带入杂质的问题。

基本信息

专利标题：

一种多晶硅还原炉电极结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021562548.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-31

授权号：

CN213141423U

授权日：

2021-05-07

发明人：

陈绍林甘居富刘逸枫周鹏刘斌王亚萍杨楠贾琳蔚

申请人：

云南通威高纯晶硅有限公司

申请人地址：

云南省保山市工贸园区昌宁园中园

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙)

代理人：

赵丽

优先权：

CN202021562548.2

主分类号：

C01B33/035

IPC分类号：

C01B33/035