一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构
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摘要

本实用新型公开一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构,包括电极体,所述电极体上端设有电极头,所述电极体下端安装有接电口,所述电极体外部包裹有绝缘组件,所述绝缘组件上端设有上凸缘,所述电极头外部包裹有固定结构,所述固定结构内插设有硅芯,所述硅芯外侧套设有垫片,所述绝缘组件插设于还原炉底盘内,所述绝缘组件下端设有螺纹帽,本装置采用绝缘材料将电极包裹进行融合形成一体,安装于还原炉底盘上预留安装电极的孔中,之后在裸露的电极头上部安放硅芯固定结构,再进一步安装硅芯,保证硅芯与电极良好接触,以此可保证还原炉在运行过程中大量降低电流击穿结缘结构致使故障停炉的事故产生。

基本信息
专利标题 :
一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922169766.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-06
授权号 :
CN211226362U
授权日 :
2020-08-11
发明人 :
施光明李宇辰王琳郭光伟吉红平陈宏博何乃栋李亚昆李勇明曹得虎蒲泽军
申请人 :
亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请人地址 :
青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号
代理机构 :
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
汤东凤
优先权 :
CN201922169766.3
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035  H01B17/58  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2020-08-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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