多晶硅还原炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了多晶硅还原炉。该多晶硅还原炉包括:炉体;以及炉顶,所述炉顶设在所述炉体的顶部,所述炉顶的内表面设有热反射涂覆层。该多晶硅还原炉的炉顶内表面设有热反射涂覆层,由此,可以有效地将热量反射至硅棒顶部,从而提高硅棒顶部的温度,使该部分硅棒的温度与硅棒整体一致,对该部分硅棒的沉积起到积极作用,进而有效提高产品的良率。
基本信息
专利标题 :
多晶硅还原炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202120443526.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-03-01
授权号 :
CN216191105U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
吴锋黄金发韩秀娟
申请人 :
江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
肖阳
优先权 :
CN202120443526.2
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-05-06 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C01B 33/035
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
变更后 : 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
变更后 : 221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
变更后 : 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
变更后 : 221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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