多晶硅氢还原炉
专利权的终止
摘要
本实用新型提供了一种多晶硅氢还原炉,包括带有冷却装置的炉壁,炉壁上安装有视镜,炉壁安装在底盘上;底盘上布有进、出气装置,底盘设有加热电极,电极上一一对应安装有硅芯棒,硅芯棒和电极为各18对,即各36个,且在底盘上沿三个同心圆周均布设置,从内圆周向外圆周分别设置为3对、5对、10对;内圆周的3对硅芯棒为低电阻率硅芯棒,其余两圆周上为常规电阻率硅芯棒;底盘上设有喷口,喷口为四组,每组喷口为多个,其中两组喷口形成的圆为同心圆,且均布在底盘每两个硅芯棒圈之间的圆周上,另外两组设置在内圈硅芯棒圆周之内。本实用新型不仅可以实现大直径、多对棒生产,提高了多晶硅产量,有效节约了生产成本。
基本信息
专利标题 :
多晶硅氢还原炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720081578.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-10-23
授权号 :
CN201105990Y
授权日 :
2008-08-27
发明人 :
刘汉元戴自忠
申请人 :
四川永祥多晶硅有限公司
申请人地址 :
614800四川省乐山市五通桥竹根镇新华村
代理机构 :
成都天嘉专利事务所
代理人 :
方强
优先权 :
CN200720081578.X
主分类号 :
C01B33/023
IPC分类号 :
C01B33/023 C01B33/03 C30B29/06 C30B35/00 F27B5/04
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/023
用二氧化硅或含二氧化硅的物料的还原方法
法律状态
2017-11-24 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C01B 33/023
申请日 : 20071023
授权公告日 : 20080827
申请日 : 20071023
授权公告日 : 20080827
2008-08-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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