多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
一种多晶硅层的制造方法，其先提供一基板，此基板具有正面与背面。接着，依序形成缓冲层、非晶硅层与顶盖层于基板的正面上。再来，图形化顶盖层而形成一图形化顶盖层，其暴露出部分非晶硅层，其中所暴露出的部分非晶硅层的区域是一结晶开始区域。继之，形成金属催化剂层于图形化顶盖层上，且金属催化剂层与结晶开始区域中的非晶硅层接触。之后，对基板的背面进行激光加热制程，使非晶硅层自结晶开始区域结晶并转变成多晶硅层。此多晶硅层的制造方法可解决加热时间过长的问题。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005016A
申请号 ：
CN200610001055.X
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨芸佩邓德华施智仁吕佳谦
申请人 ：
中华映管股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610001055.X
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/268 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2020-12-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/20
申请日 : 20060116
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20200116
申请日 : 20060116
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20200116
2008-11-12 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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