一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法
授权
摘要
本发明实施例公开了一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法，所述设备可以包括：石英坩埚，所述石英坩埚用于容纳掺氮硅熔体；第一输气装置，所述第一输气装置用于将一氧化碳气体输送至所述掺氮硅熔体的液面处；拉晶装置，所述拉晶装置用于利用所述掺氮硅熔体通过直接法拉制单晶硅棒。
基本信息
专利标题 ：
一种用于制造掺氮单晶硅的设备及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113862775A
申请号 ：
CN202111162445.6
公开（公告）日 ：
2021-12-31
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
CN113862775B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
衡鹏徐鹏张婉婉
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市市辖区高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈寒酉
优先权 ：
CN202111162445.6
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-01-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/04
申请日 : 20210930
申请日 : 20210930
2021-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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