栅氧掺氮退火温度的监控方法
授权
摘要
本发明公开了一种栅氧掺氮退火温度的监控方法，包括步骤：步骤一、在测试硅片上形成零标记层图形。步骤二、形成氮掺杂的栅氧化层，包括：氧化层生长工艺，对氧化层进行掺氮工艺，进行栅氧掺氮退火工艺。步骤三、形成套刻层图形，套刻层图形和对应的零标记层图形相套准形成监控结构。步骤四、测量各监控结构的套刻层图形和对应的零标记层图形之间的套准值，根据所测量的套准值调整栅氧掺氮退火温度。本发明能监控栅氧掺氮退火温度在二维平面上对栅氧化层的影响，并进而能调节栅氧掺氮退火温度并提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
栅氧掺氮退火温度的监控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110364449A
申请号 ：
CN201910670110.1
公开（公告）日 ：
2019-10-22
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN110364449B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李中华
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201910670110.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/67 H01L29/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-11-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20190724
申请日 : 20190724
2019-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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