制造单晶硅的装置
专利申请的视为撤回
摘要
一种利用切克劳斯基单晶生长法的大直径单晶制造装置，在保温罩上部设置适当的开口，防止气体介质产生不良影响。开口总面积大于保温罩下端和硅熔液液面之间形成间隙的面积，保温罩和热屏蔽件用金属板构成。
基本信息
专利标题 ：
制造单晶硅的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055965A
申请号 ：
CN91102343.7
公开（公告）日 ：
1991-11-06
申请日 ：
1991-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
神尾宽荒木健治岛芳延钤木真兼头武中滨泰光钤木威藤林晃夫
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN91102343.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1994-01-12 ：
专利申请的视为撤回
1992-07-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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