单晶硅加料装置
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及制造单晶硅的设备领域，尤其是一种单晶硅加料装置。它具有熔炉、支架和加料漏斗，熔炉上端入口处周圈设置支架，支架上放置加料漏斗，所述的加料漏斗为收缩性漏斗。有益效果是收缩性的加料漏斗可根据需要调节加料的多少，操作简单方便，缩短了生产时间，提高了工作效率。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820186444.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-10-27
授权号 ：
CN201276607Y
授权日 ：
2009-07-22
发明人 ：
汪钉崇张东亮
申请人 ：
常州天合光能有限公司
申请人地址 ：
213031江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
代理机构 ：
常州市维益专利事务所
代理人 ：
王凌霄
优先权 ：
CN200820186444.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2014-12-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591753084
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2008201864449
申请日 : 20081027
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20131027
号牌文件序号 : 101591753084
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2008201864449
申请日 : 20081027
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20131027
2009-07-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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