单晶硅生长炉的二次加料装置
授权
摘要

本实用新型公开一种单晶硅生长炉的二次加料装置,包括石英筒和法兰,石英筒用以储料和卸料;法兰套设于所述石英筒的外侧,用以对所述石英筒限位,包括螺纹连接的第一法兰和第二法兰,其中,所述第一法兰和/或所述第二法兰的内壁与所述石英筒之间设有胶圈,当所述第一法兰和所述第二法兰螺纹连接时,所述胶圈受挤压产成摩擦力使所述法兰定位在所述石英筒上。本实用新型提供的二次加料装置可消减如氢氧焊作业和抛磨车床作业等的多项生产环节,从而缩短生产周期,降低生产成本。

基本信息
专利标题 :
单晶硅生长炉的二次加料装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021232911.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-29
授权号 :
CN212771045U
授权日 :
2021-03-23
发明人 :
刘军波牛照伦王三朋
申请人 :
宁晋晶兴电子材料有限公司
申请人地址 :
河北省邢台市宁晋县高新技术开发区
代理机构 :
北京市万慧达律师事务所
代理人 :
张一帆
优先权 :
CN202021232911.4
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B15/02  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2021-03-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212771045U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332