单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置
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摘要

本实用新型是关于单晶硅生长炉领域,特别涉及一种单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置。包括掺杂筒;掺杂机构包括外筒,外筒内壁为N边形,其中N‑1条边每条边上设有一轴座,每个轴座上设有心轴;掺杂筒底部筒壁上设有一偏心孔,心轴装设于偏心孔内;外筒内顶部设有封盖,转轴手柄通过轴承与密封圈与封盖相连,封盖上设有若干止动孔,止动孔的位置与掺杂筒相对应;转轴手柄下端穿过封盖与挡板固连,上端与定位止动销相连,止动销底端插入其中一个定位孔内,挡板上设有缺口。本实用新型采用多次掺杂技术,保证掺杂元素均匀分布在晶棒里,提高晶棒的品质,提高收益;可以解决原有的一次只能掺杂一份掺杂剂的不足。

基本信息
专利标题 :
单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921029858.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-04
授权号 :
CN210796694U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
曹建伟傅林坚胡建荣高宇倪军夫叶钢飞春伟博谭庆黄剑利
申请人 :
浙江晶盛机电股份有限公司
申请人地址 :
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
周世骏
优先权 :
CN201921029858.5
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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