拉晶炉掺杂装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供了一种拉晶炉掺杂装置,属于多晶硅或单晶硅生产技术领域。包括掺杂管、隔断阀及掺杂料加注组件,掺杂管一端固定连接拉晶炉台,掺杂料加注组件连接掺杂管另一端,隔断阀设置于掺杂管上,将掺杂料加注组件与拉晶炉台隔离。掺杂料加注组件包括掺杂料储槽及设置在掺杂料储槽上的惰性气体置换管件及稳压管件。掺杂作业时,关闭隔断阀,向掺杂料储槽中按理论计算量加入掺杂剂,向掺杂料储槽中通入氩气进行置换,置换完成后,打通稳压管件,保证掺杂剂通畅下料,操作简单,安全可靠。实现了独立加料,可根据实际生产需要,精准计算好掺杂剂的用量,确保拉制的晶棒的电阻率,保证拉晶合格率。

基本信息
专利标题 :
拉晶炉掺杂装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920919555.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-18
授权号 :
CN210177001U
授权日 :
2020-03-24
发明人 :
李磊李小红芮阳王忠保闫龙赵延祥小暮康弘王黎光徐庆晧
申请人 :
宁夏银和半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
孙彦虎
优先权 :
CN201920919555.4
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2021-03-30 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/04
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏银和半导体科技有限公司
变更后 : 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
2020-03-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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