一种减少掺杂剂镓挥发的方法
公开
摘要
本发明提供一种减少掺杂剂镓挥发的方法。所述减少掺杂剂镓挥发的方法包括以下步骤：(1)在料筒中装入部分硅料后，将石英管插入所述硅料中，再在所述石英管的外侧装入剩余硅料；(2)将镓从所述石英管的上方加入石英管中，使所述镓落入石英管的底部后，取出石英管，实现镓的掺杂。所述方法可以有效的将掺杂剂加入中下部，同时减少了人员操作难度，避免了镓挥发及沾到筒壁。
基本信息
专利标题 ：
一种减少掺杂剂镓挥发的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606572A
申请号 ：
CN202011450513.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏伟陈龙孙立娟
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
巩克栋
优先权 ：
CN202011450513.4
主分类号 ：
C30B31/04
IPC分类号 ：
C30B31/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/04
同液态扩散材料接触的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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