产生掺杂剂气体物质的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种产生掺杂剂气体物质的方法以及实施该方法的离子源，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分。具体而言，虽然并不排他，但本发明涉及使用离子注入机，产生注入半导体晶片的掺杂剂离子。本发明提供产生掺杂剂气体物质的方法，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分，该方法包括：将掺杂剂元素成分源堆或块暴露于气态溴，使得溴与所述元素成分反应，形成反应产物，并离子化该反应产物，以产生掺杂剂气体物质的离子。
基本信息
专利标题 ：
产生掺杂剂气体物质的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1807705A
申请号 ：
CN200510132021.X
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·吕丁S·萨托
申请人 ：
应用材料有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200510132021.X
主分类号 ：
C30B31/06
IPC分类号 ：
C30B31/06 C30B31/16 C30B25/14 C23C16/448 H01L21/205 H01L21/383
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101075677701
IPC(主分类) : C30B 31/06
专利申请号 : 200510132021X
公开日 : 20060726
号牌文件序号 : 101075677701
IPC(主分类) : C30B 31/06
专利申请号 : 200510132021X
公开日 : 20060726
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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