气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于非晶硅的掺杂方法，现有的用于非晶硅掺杂的气体掺杂剂仅为磷烷、硼烷、砷烷三种，不仅种类少而且毒性极大，纯化困难，制备出的材料缺陷态高，本发明提供的一种气载掺杂剂掺杂非晶硅方法，是用周期表中III-V族元素的单质或化合物为掺杂剂，以净化过的氢气或氦气或氩气为载体流过经加热汽化掺杂剂与SiH4混合，在反应室内反应而生成掺杂非晶硅，具有毒性小，掺杂材料缺陷态密度低，光电导增加等优点。
基本信息
专利标题 ：
气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100512A
申请号 ：
CN85100512.8
公开（公告）日 ：
1986-08-13
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1007563B
授权日 ：
1990-04-11
发明人 ：
吴宗炎沈月华
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
潘振苏
优先权 ：
CN85100512.8
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1993-07-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-12-26 ：
授权
1990-04-11 ：
审定
1988-08-31 ：
实质审查请求
1986-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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