改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法
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摘要
本发明公开了一种改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：在淀积掺杂非晶硅薄膜时，在参与反应的气体中通入锗烷。淀积时，淀积温度300～450摄氏度，压力1～10Torr，高频功率100～1000w,低频功率100～1000w,硅烷流量100～1000sccm，淀积时间10～100s，Ar流量500～5000sccm。锗烷流量为10～1000sccm，淀积时间10～100s。本发明在通入了一定量的锗烷后，由于Ge和B的结合能力与硅不同从而改变了掺杂的分布，改善了面内均一性。
基本信息
专利标题 ：
改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110923660A
申请号 ：
CN201911291715.6
公开（公告）日 ：
2020-03-27
申请日 ：
2019-12-16
授权号 ：
CN110923660B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
王剑敏
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦健
优先权 ：
CN201911291715.6
主分类号 ：
C23C16/24
IPC分类号 ：
C23C16/24 C23C16/513 C23C16/52
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/24
仅沉积硅
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-04-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/24
申请日 : 20191216
申请日 : 20191216
2020-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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