钴铁镍铌硅硼非晶软磁薄膜的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。
基本信息
专利标题 ：
钴铁镍铌硅硼非晶软磁薄膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1061299A
申请号 ：
CN91106523.7
公开（公告）日 ：
1992-05-20
申请日 ：
1991-08-20
授权号 ：
CN1021495C
授权日 ：
1993-06-30
发明人 ：
刘宜华梅良模栾开政张连生
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
250100山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
许德山
优先权 ：
CN91106523.7
主分类号 ：
H01F41/22
IPC分类号 ：
H01F41/22 H01F10/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/14
用于在基底上施加磁性膜
H01F41/22
热处理；热分解；化学气相沉积
法律状态
1994-10-05 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-06-30 ：
授权
1992-05-20 ：
公开
1992-04-22 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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