非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法。近年来，各种显示装置已被活跃地引入OA设备中，结果显示装置均具有用透明导电膜将显示元件夹入的结构。作为该透明导电膜，ITO膜现在已占了主流，但ITO膜由于在蚀刻中使用强酸，具有对配线产生损害的问题，进行了在低温下使ITO膜进行非晶成膜从而使其可以在弱酸下蚀刻的尝试，但存在在非晶状态下电阻增高等问题。本发明通过使用以下的非晶质透明导电膜作为非晶质透明导电膜等，解决了上述问题：在采用X射线散射测定求出的矢径分布函数(RDF)中，将原子间距离为0.30nm～0.36nm间的(RDF)的最大值记为A，将原子间距离为0.36nm～0.42nm间的(RDF)的最大值记为B时，满足A＞B的关系。

基本信息

专利标题：

非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101138052A

申请号：

CN200680007481.2

公开（公告）日：

2008-03-05

申请日：

2006-03-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

岛根幸朗井上一吉松原雅人田中信夫笘井重和矢野公规松崎滋夫

申请人：

出光兴产株式会社

申请人地址：

日本国东京都

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

优先权：

CN200680007481.2

主分类号：

H01B5/14

IPC分类号：

H01B5/14 H01B13/00 C23C14/34