非晶碳-非晶硒复印感光体(复印鼓)
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是a-C：H/a-Se合金和a-Se/Al复印感光体(复印鼓)及其制造方法。为了寻找一种具有优异的抗磨损能力和物理、化学性能稳定、并具良好的复印性能、使用寿命长、制造工艺简单、价格低廉易于工业化制造的新型复印感光体(复印鼓)，可采用直流或高频辉光放电法分解乙炔(C2H2)，戍烷(C5H12)或其它碳氢化合物得到含氢碳，并使之沉积在a-Se或a-Se合金膜上而制成。沉积a-C：H膜时衬底温度0-80℃生长速率可控制在0.1-1/秒，膜的厚度为100-1000。
基本信息
专利标题 ：
非晶碳-非晶硒复印感光体(复印鼓)
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86107478A
申请号 ：
CN86107478.5
公开（公告）日 ：
1988-01-13
申请日 ：
1986-10-28
授权号 ：
CN1005655B
授权日 ：
1989-11-01
发明人 ：
王若宝何大韧
申请人 ：
西北大学
申请人地址 ：
陕西省西安小南门外
代理机构 ：
西北大学专利事务所
代理人 ：
朱恪孝
优先权 ：
CN86107478.5
主分类号 ：
G03G5/04
IPC分类号 ：
G03G5/04 G03G5/14
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03G
电记录术；电照相；磁记录
G03G5/00
采用辐照用于原稿记录的记录构件；记录构件的制造；所用材料的选择
G03G5/02
电荷接受层
G03G5/04
光导层；电荷发生层或电荷转移层；上述各层的添加剂和黏接剂
法律状态
1993-03-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-06-27 ：
授权
1989-11-01 ：
审定
1988-01-13 ：
实质审查请求
1988-01-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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