非晶硅摄像靶
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属电真空器件领域。非晶硅摄像靶是新型摄像管，本发明采用气载掺杂剂P，BBr3或In、Ga方法掺杂非晶硅分别制备空穴阻挡层和光电导层制成的摄像靶灵敏度高而工艺简单。本发明不加电子阻挡层仍靶暗电流，惰性小摄像靶可以在高环境温度下使用。
基本信息
专利标题 ：
非晶硅摄像靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100514A
申请号 ：
CN85100514.4
公开（公告）日 ：
1986-08-13
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1020221C
授权日 ：
1993-03-31
发明人 ：
吴宗炎沈月华
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
潘振苏
优先权 ：
CN85100514.4
主分类号 ：
H01J29/10
IPC分类号 ：
H01J29/10 H01J9/20 H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J29/00
H01J31/00组中包含的各种阴极射线管或电子束管的零部件
H01J29/02
电极；屏；其安装、支承、配置或绝缘
H01J29/10
形成、摄取、转换或贮存图像或图形的屏
法律状态
1994-02-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-03-31 ：
授权
1986-08-13 ：
公开
1986-07-09 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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