一种晶硅/非晶硅异质结电池
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池，包括：基底，所述基底为晶体硅片；在所述基底正面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜及多层TCO薄膜；在所述基底背面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜及多层TCO薄膜；及在TCO薄膜上设置的金属电极。本实用新型中电池通过制成多层TCO薄膜，进一步大幅度加强整体的钝化作用效果，使少子寿命这一关键参数得到大幅度提升，可以达到提高开路电压、短路电流和填充因子的目的，使HJT电池的效率大幅度提升。
基本信息
专利标题 ：
一种晶硅/非晶硅异质结电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922106506.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN211238272U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
黄金李高非王继磊杨骥张娟白焱辉贾慧君刘学飞李文敏
申请人 ：
晋能光伏技术有限责任公司
申请人地址 ：
山西省晋中市山西综改示范区晋中开发区新能源汽车园区广安东街533号
代理机构 ：
北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵徐平
优先权 ：
CN201922106506.1
主分类号 ：
H01L31/075
IPC分类号 ：
H01L31/075 H01L31/077 H01L31/0224
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法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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