非晶硅或微晶硅太阳能电池制造装置及其串接系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明公开了一种非晶硅或微晶硅太阳能电池制造装置,它包括多个真空镀膜室、真空系统、气路装置,所述多个真空镀膜室列绕于中央真空转换区(10)周围,中央真空转换区(10)内设有马达驱动的机械臂(11),各镀膜室与中央真空转换区(10)之间由气动闸阀(9)相隔离。所有镀膜室和工作区可同时操作,大大提高了生产效率。可根据需求而加延i层镀膜室以增加出产量,因此本发明可灵活地调整结构,进一步提高生产效率。本发明适宜于电池的连续工业化生产,成本低,光伏转化率高达12%-14%。

基本信息
专利标题 :
非晶硅或微晶硅太阳能电池制造装置及其串接系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1793417A
申请号 :
CN200510022512.9
公开(公告)日 :
2006-06-28
申请日 :
2005-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴海生成顺康黄金鹿成砾吴娟王秀娟
申请人 :
姜堰新金太阳能光伏制造有限公司
申请人地址 :
225500江苏省姜堰市高新技术创业中心(新328国道南侧)
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200510022512.9
主分类号 :
C23C14/24
IPC分类号 :
C23C14/24  H01L31/0216  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2008-06-25 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-23 :
实质审查的生效
2006-06-28 :
公开
2006-05-17 :
地址不明的通知
收件人 : 王秀娟
文件名称 : 发明专利申请初步审查合格通知书
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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