太阳能电池的制造方法，太阳能电池以及太阳能电池制造装置

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摘要

具备：使作为第2导电类型的半导体层的n型扩散层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置由半导体基板构成的基板(1S)，对成膜室(101)内进行真空排气而减压，将原料气体供给到成膜室(101)内，利用CVD法使防反射膜(3)从半导体基板的受光面侧成膜至半导体基板的侧面的工序。成膜的工序是托盘(100)具有在与半导体基板的抵接面具有开口并且贯通托盘(100)的贯通孔h，通过真空排气使贯通孔h内相对于成膜室(101)内的压力成为负压，从而使半导体基板紧贴于抵接面，使防反射膜(3)成膜于除了抵接面之外的半导体基板表面的工序。

基本信息

专利标题：

太阳能电池的制造方法，太阳能电池以及太阳能电池制造装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108235787A

申请号：

CN201680060879.6

公开（公告）日：

2018-06-29

申请日：

2016-09-20

授权号：

CN108235787B

授权日：

2022-05-13

发明人：

横川政弘川崎隆裕

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

孙蕾

优先权：

CN201680060879.6

主分类号：

H01L31/0216

IPC分类号：

H01L31/0216 C23C16/458 H01L21/205 H01L31/18