太阳能电池及太阳能电池的制造方法
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摘要
本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。太阳能电池包括硅基板，在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；后表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的后表面侧；光接收表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的光接收表面上；抗反射膜，形成于所述光接收表面侧钝化膜上。所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成。所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成。根据本发明，可以提高太阳能电池的最大电功率。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池及太阳能电池的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101471390A
申请号 ：
CN200910003203.5
公开（公告）日 ：
2009-07-01
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊坂隆行安彦义哉殿村嘉章
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
葛 青
优先权 ：
CN200910003203.5
主分类号 ：
H01L31/068
IPC分类号 ：
H01L31/068 H01L31/18
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法律状态
2013-01-16 ：
授权
2009-08-26 ：
实质审查的生效
2009-07-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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